| 型号： | BU808DFI | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| BU808DFI PDF |  |
| 标准包装 | 300 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 700V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.6V @ 500mA，5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 400µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 5A，5V |
| 功率 - 最大 | 52W |
| 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | ISOWATT-218-3 |
| 供应商设备封装 | ISOWATT-218 |
| 包装 | 管件 |